推荐高性能存储psram芯片EMI164LA16LM-70I型号
智能穿戴、物联网设备和端侧AI应用快速发展,PSRAM伪静态随机存储器,正成为越来越多嵌入式系统的优选方案,如何选择一个高性能、小尺寸与低功耗的psram芯片是一个值得思考的问题。由EMI自主研发、英尚微电子代理的高性能PSRAM芯片——EMI164LA16L
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2025年9月26日互动易:在半导体封测业务领域,公司主要从事高端存储芯片的封装与测试,产品包括DRAM、NAND FLASH以及嵌入式存储芯片;公司专注于为全球客户提供一站式电子产品制造服务,产品可根据需要运用于多种场景。
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BL34C04A-NTRC是一款512字节的ROM设备,旨在在1.7V - 3.6 V电压范围内(最大1 MHz)运行MBus接口。RST BL34C04A包括一个4 Kbit序列EEPRAM,分为两个存储库,每个存储库256字节,即总存储器512字节。每个库
2025年9月26日互动易:在半导体封测业务领域,公司主要从事高端存储芯片的封装与测试,产品包括DRAM、NAND FLASH以及嵌入式存储芯片;公司专注于为全球客户提供一站式电子产品制造服务,产品可根据需要运用于多种场景。
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SRAM静态随机存储器,是一种随机存储器,只要保持通电,里面的数据就可以一直保存。
公司近年来持续发展先进封装测试技术,深入推进存储项目,与国内龙头存储芯片企业开展战略合作。全资子公司沛顿科技封装技术包括 wBGA/FBGA 等,具备先进封装 FlipChip/TSV 技术(DDR4 封装)能力。
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前言:继闪迪宣布将NAND产品价格上调10%之后,美光近日向渠道通知,存储产品即将上涨20%-30%,所有产品暂停报价。
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